用直流磁控溅射设施制备20nm金薄膜须要的期间 (直流磁控溅射和射频磁控溅射)

本文目录导航：

• 用直流磁控溅射设施制备20nm金薄膜须要的期间？
• 直流溅射法制备金属薄膜为什么用氩气不用空气

用直流磁控溅射设施制备20nm金薄膜须要的期间？

首先要看你堆积那种金属的镀层，不同金属的溅射产额相差很大，溅射功率、偏压、上班气压，影响参数很多，假设是TiAlN，0.3Pa，-75V偏压，100W，1分钟大略就能堆积20nm

直流溅射法制备金属薄膜为什么用氩气不用空气

直流溅射法：在镀膜室中充入氩气,应用直流电压发生辉光放电,由此构成的氩气离子和由它发生的极速中性离子(溅射粒子)以高速轰击金靶,靶材原子(溅射原子)被从金靶外表溅射进去,冷凝在衬底上,从而构成了薄膜.氩气可以被电离发生辉光放电，构成的氩气离子和由它发生的极速中性离子以高速轰击金靶。空气不能被电离发生辉光放电，不能构成离子，同时空气会氧化金属，因此不用空气