原子层堆积的钻研 (原子层堆积的基本形式)
本文目录导航：
原子层堆积的钻研
原子层堆积（ALD）的自限度性和互补性以至该技术对薄膜的成份和厚度具备杰出的控制才干，所制备的薄膜保形性好、纯度高且平均，因此惹起了人们宽泛的关注。
原子尺度上的ALD环节仿真对深化了解堆积机理，改良和提升薄膜生短工艺，提高薄膜品质，改善薄膜性质具备关键意义。
在深化了解ALD的工艺特点及工艺环节后，针对H-Si（100）外表上堆积Al<,2>O<,3>；的ALD环节的仿真启动了多方面的探求钻研，并取得了一些翻新性结果。
1）提出ALD环节通常存在初始堆积和后续成长两个不同的堆积阶段，薄膜的成长形式区分体现为岛状成长和层状成长，其中初始堆积阶段对薄膜外形有着无法疏忽的影响。
2）以Al<,2>O<,3>；的ALD环节为参考，给出了原子层堆积试验装置的初步设计打算。
3）以Al<,3>O<,4>；尖晶石晶体结构为基础，构建仿真二维单元模型，经过剖析不同堆积阶段的反响机理，驳回基于晶体结构的能源学蒙特卡罗方法（KLMC）对H-si（100）外表上堆积Al<,2>O<,3>；的ALD环节启动模拟，建设了前驱体抵达、外表化学反响、外表解吸三种不同的事情模型，经过期间治理成功ALD环节中气体脉冲的交替循环。
4）在探讨关系数据结构和算法后，应用C++言语编制仿真软件，联合数据库和OpenGL技术，成功数据的存储与结果显示。
5）扭转工艺条件启动多组仿真试验，结果标明薄膜的毛糙度受前驱体温度、反响室真空度、基片温度等多种要素的影响。
其中基片温度对初始堆积期间和成长速率的影响最为清楚。
在温度窗口内，基片温度越低，薄膜成长越缓慢，初始堆积期间越长，外表毛糙度参与；随着基片温度的升高，初始堆积环节越持久，薄膜很快敞开，温度越高，成长速率越趋近于1ML/cycle（单分子层/循环），外表毛糙度也越小。
将仿真结果与文献中报道的结果相比拟，两者吻合较好。
同时也进一步证明了ALD薄膜成长环节中两个阶段的存在。
最后剖析该模型存在偏向的要素，为ALD的运行钻研提供一个切实基础。
薄膜成长有几种成长形式？与哪些因数无关
成长形式：岛状形式、层状形式、岛层复合形式。
关键影响要素是温度。
薄膜成长形式：
影响要素：
转载请注明出处：https://www.twgcw.com/gcsc/108602.html