薄膜技术与薄膜资料的图书消息2 (薄膜技术与薄膜材料)

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薄膜技术与薄膜资料的图书消息2

书名：薄膜技术与薄膜资料（资料迷信与工程系列）书号34作者：田民波等定价：49元出版日期：2011-12-12出版社：清华大学出版社 第1章 真空技术基础11.1 真空的基本常识11.1.1 真空定义11.1.2 真空度量单位21.1.3 真空区域划分41.1.4 气体与蒸气61.2 真空的表征71.2.1 气体分子静止论71.2.2 分子静止的平均自在程91.2.3 气流与流导121.3 气体分子与外表的相互作用131.3.1 碰撞于外表的分子数131.3.2 分子从外表的反射141.3.3 蒸发速率151.3.4 真空在薄膜制备中的作用16习题17第2章 真空泵与真空规192.1 真空泵192.1.1 油封机械泵202.1.2 分散泵242.1.3 吸附泵292.1.4 溅射离子泵302.1.5 升华泵322.1.6 高温冷凝泵332.1.7 涡轮分子泵和复合涡轮泵342.1.8 干式机械泵362.2 真空测量仪器--总压强计372.2.1 麦克劳真空规392.2.2 热传导真空规402.2.3 电离真空计--电离规412.2.4 盖斯勒管462.2.5 隔膜真空规472.2.6 真空规的装置方法482.3 真空测量仪器--分压强计482.3.1 磁偏转型质谱计482.3.2 四极滤质器（四极质谱计）49习题50第3章 真空装置的实践疑问523.1 排气的基础常识523.2 资料的放气533.3 排气期间的预算563.4 适用的排气系统573.4.1 离子泵系统573.4.2 分散泵系统573.4.3 高温冷凝泵-分子泵系统573.4.4 残留气体593.5 检漏603.5.1 检漏方法603.5.2 检漏的实践操作623.6 大气温度与湿度对装置的影响633.7 烘烤用的外部加热器643.8 化学活性气体的排气653.8.1 关键装置及存在的疑问663.8.2 排气系统及其部件66习题68第4章 气体放电和高温等离子体694.1 带电粒子在电磁场中的静止694.1.1 带电粒子在电场中的静止694.1.2 带电粒子在磁场中的静止704.1.3 带电粒子在电磁场中的静止714.1.4 磁控管和电子盘旋共振734.2 气体原子的电离和激起734.2.1 碰撞--能量传递环节744.2.2 电离--正离子的构成774.2.3 激起--亚稳原子的构成804.2.4 回复--退激起光824.2.5 解离--合成为单个原子或离子844.2.6 附着--负离子的发生854.2.7 复合--中性原子或原子团的构成854.2.8 离子化学--活性粒子间的化学反响874.3 气体放电开展环节894.3.1 由非自持放电过渡到自持放电的条件904.3.2 电离系数?α?和二次电子发射系数?γ?914.3.3 帕邢定律及扑灭电压确实定924.3.4 气体放电伏安个性曲线934.4 高温等离子体概述954.4.1 等离子体的定义954.4.2 等离子体的温度964.4.3 带电粒子的迁徙静止和分散静止974.4.4 等离子体的导电性994.4.5 等离子体的群体个性1004.4.6 等离子体电位1014.4.7 离子鞘层1024.5 辉光放电1034.6 弧光放电1054.6.1 弧光放电类型1054.6.2 弧光放电的基本个性1064.7 高频放电1074.7.1 高频功率的输入方法1074.7.2 离子捕集和电子捕集1084.7.3 自偏压1094.8 高压力、高密度等离子体放电1104.8.1 微波的传输及微波放电1114.8.2 微波ECR放电1114.8.3 螺旋波等离子体放电1134.8.4 感应耦合等离子体放电114习题115第5章 薄膜成长与薄膜结构1175.1 薄膜成长概述1175.2 吸附、外表分散与凝固1185.2.1 吸附1185.2.2 外表分散1235.2.3 凝固1245.3 薄膜的形核与成长1265.3.1 形核与成长简介1265.3.2 毛吸实践（热力学界面能实践）1295.3.3 统计或原子汇集实践1345.4 延续薄膜的构成1375.4.1 奥斯瓦尔多（Ostwald）吞并环节1375.4.2 熔结环节1385.4.3 原子团的迁徙1395.4.4 选择外表取向的Wullf实践1395.5 薄膜的成长环节与薄膜结构1405.5.1 薄膜成长的晶带模型1405.5.2 纤维状成长模型1425.5.3 薄膜的毛病1445.5.4 薄膜构成环节的计算机模拟1455.6 非晶态薄膜1485.7 薄膜的基本色质1505.7.1 导电性1505.7.2 电阻温度系数（TCR) 1515.7.3 薄膜的密度1515.7.4 经时变动1525.7.5 电介质膜1525.8 薄膜的粘附力和内应力1535.8.1 薄膜的粘附力1535.8.2 薄膜的内应力1545.8.3 提高粘附力的路径1555.9 电迁徙156习题158第6章 真空蒸镀1596.1 概述1596.2 镀料的蒸发1606.2.1 饱和蒸气压1606.2.2 蒸发粒子的速度和能量1646.2.3 蒸发速率和堆积速率1656.3 蒸发祥1666.3.1 电阻加热蒸发祥1666.3.2 电子束蒸发祥1706.4 蒸发祥的蒸气发射个性与基板性能1736.4.1 点蒸发祥1736.4.2 小平面蒸发祥1746.4.3 实践蒸发祥的发射个性及基板性能1756.5 蒸镀装置及操作1786.6 合金膜的蒸镀1796.6.1 合金蒸发分馏现象1806.6.2 刹时蒸发（闪动蒸发）法1816.6.3 双源或多源蒸发法1816.7 化合物膜的蒸镀1816.7.1 透明导电膜(ITO)--In?2O?3-SnO?2系薄膜1816.7.2 反响蒸镀法1826.7.3 三温度法1836.7.4 热壁法1836.8 脉冲激光熔射（PLA) 1846.8.1 脉冲激光熔射的原理1846.8.2 脉冲激光熔射设施1856.8.3 脉冲激光熔射制造氧化物超导膜1866.9 分子束外延技术1876.9.1 分子束外延的原理及特点1876.9.2 分子束外延设施1886.9.3 分子束外延技术的开展意向1906.9.4 分子束外延的运行191习题192第7章 离子镀和离子束堆积1937.1 离子镀原理及模式1937.1.1 离子镀的原理1937.1.2 不同的离子镀模式1947.1.3 离子轰击在离子镀环节中的作用1987.1.4 离子镀环节中的离化率疑问2027.1.5 离子镀的蒸发祥2037.2 几种典型的离子镀模式2047.2.1 活性反响蒸镀（ARE) 2047.2.2 空心阴极放电离子镀2067.2.3 多弧离子镀2087.3 离子束堆积2107.3.1 离子束堆积的原理2107.3.2 间接引出式和品质分别式2127.3.3 离化团束堆积2157.3.4 离子束辅佐堆积2197.4 离子束混合2227.4.1 离子束混合原理2227.4.2 静态混合2237.4.3 灵活混合223习题225第8章 溅射镀膜2278.1 离子溅射2278.1.1 荷能粒子与外表的相互作用2278.1.2 溅射产额及其影响起因2298.1.3 溅射原子的能量散布和角散布2388.2 溅射镀膜模式2428.2.1 直流二极溅射2468.2.2 三极和四极溅射2478.2.3 射频溅射2498.2.4 磁控溅射--高温高速溅射2518.2.5 溅射气压凑近零的零气压溅射2598.2.6 自溅射--深且超微细孔中的埋入2628.2.7 RF-DC联合型偏压溅射2678.2.8 ECR溅射2688.2.9 对向靶溅射2698.2.10 离子束溅射堆积2708.3 溅射镀膜的实例2738.3.1 Ta及其化合物膜的溅射堆积2738.3.2 Al及Al合金膜的溅射堆积2778.3.3 氧化物的溅射堆积：超导膜和ITO透明导电膜278习题282第9章 化学气相堆积（CVD) 2849.1 化学气相堆积（CVD）概述2849.1.1 定义2849.1.2 CVD薄膜堆积环节2859.1.3 关键的生成反响2869.1.4 CVD的类型及装置2899.1.5 CVD的运行2909.2 热CVD2929.2.1 热CVD的原理及特色2929.2.2 热CVD装置和反响器2949.2.3 常压CVD (NPCVD) 2969.2.4 减压CVD(LPCVD)2969.3 等离子体CVD(PCVD)2989.3.1 PCVD的特色及运行2989.3.2 PCVD装置3019.3.3 高密度等离子体（HDP) CVD3059.4 光CVD(photo CVD)3069.4.1 激光化学气相堆积3069.4.2 光化学气相堆积3079.5 无机金属CVD (MOCVD) 3099.6 金属CVD3129.6.1 W-CVD3129.6.2 Al-CVD3139.6.3 Cu-CVD3159.6.4 阻挠层--TiN-CVD3169.7 半球形晶粒多晶Si-CVD (HSG-CVD) 3179.8 铁电体的CVD3189.9 低介电常数薄膜的CVD321习题321第10章 干法刻蚀.1 干法刻蚀与湿法刻蚀.1.1 刻蚀技术简介.1.2 湿法刻蚀.1.3 干法刻蚀.2 等离子体刻蚀--激起反响气体刻蚀.2.1 原理.2.2 装置.3 反响离子刻蚀（RIE) .3.1 原理及特色.3.2 各种反响离子刻蚀方法.3.3 装置.3.4 软件.3.5 Cu的刻蚀.4 反响离子束刻蚀（RIBE) .4.1 聚焦离子束（FIB）设施及刻蚀加工.4.2 束径1?mm左右的离子束设施及RIBE.4.3 大束径离子束设施及RIBE.5 气体离化团束（GCIB）加工技术.5.1 GCIB加工原理.5.2 GCIB设施.5.3 GCIB加工的好处.5.4 GCIB在微细加工中的运行.6 微机械加工.7 干法刻蚀用离子源的开发361习题362第11章 平整化技术.1 平整化技术的必要性.2 平整化技术概要.3 不出现凹凸的薄膜成长.3.1 选用成长.3.2 回流埋孔（溅射平整化）.3.3 经过埋入氧化物成功平整化.4 堆积同时启动加工防止凹凸出现的薄膜成长.4.1 偏压溅射.4.2 去除法（lift-off) .5 薄膜成长后经再加工成功平整化.5.1 涂布平整化.5.2 激光平整化.5.3 回流平整化.5.4 蚀刻平整化.5.5 阳极氧化与离子注入.6 埋入技术实例.7 化学机械研磨（CMP）技术.8 气体离化团束（GCIB）加工平整化.9 大马士革法(Damascene)布线及平整化.10 平整化技术与光刻制版术.11 IC多层布线已停顿到第四代378习题382第12章 外表改性及超硬膜.1 外表改性.1.1 何谓外表改性.1.2 外表改性的手腕.1.3 外表改性的运行.2 超硬膜用于切削刀具.2.1 超硬膜的取得及运行.2.2 如何选用镀层-基体系统.2.3 超硬镀层改善刀具切削性能的机理393习题396第13章 能量及信号变换用薄膜与器件.1 能质变换薄膜与器件.1.1 光电变换薄膜资料.1.2 光热变换薄膜资料.1.3 热电变换薄膜资料.1.4 热电子发射薄膜资料.1.5 固体电解质薄膜资料.1.6 超导薄膜器件.2 传感器.2.1 传感器的种类及资料.2.2 薄膜传感器举例.3 金刚石薄膜的运行.3.1 金刚石薄膜的开发现状.3.2 三极管及二极管.3.3 传感器.3.4 声外表波器件.3.5 场发射平板显示器419习题422第14章 半导体器件、记载和存储用薄膜技术与薄膜资料.1 半导体器件.1.1 半导体集成电路元件中所用薄膜的种类和构成方法.1.2 MOS器件及晶圆的大型化.1.3 化合物半导体器件.2 记载与存储.2.1 光盘.2.2 磁盘.2.3 磁头435习题438第15章 平板显示器中的薄膜技术与薄膜资料.1 平板显示器.2 液晶显示器.2.1 AM-LCD.2.2 驳回a-Si∶H TFT的AM-LCD.2.3 TFT-LCD性能的改良和提高.2.4 驳回poly-Si TFT的AM-LCD以及高温poly-Si TFT制造技术.2.5 LCD显示屏的封装技术.3 等离子体平板显示器.3.1 等离子体平板显示器的上班原理.3.2 PDP的关键部件及资料.3.3 MgO薄膜.3.4 放电胞及障壁结构.3.5 PDP显示器的产业化停顿.4 无机电致发光显示器(OLED).4.1 无机EL显示的上班原理.4.2 无机EL显示器的特色.4.3 小分子系和高分子系无机EL显示器.4.4 无机EL显示器的结构及制造工艺.4.5 无机EL显示器的产业化停顿471习题472第16章 太阳电池中的薄膜技术与薄膜资料.1 太阳电池的原理和薄膜太阳电池的好处.1.1 太阳电池原理.1.2 太阳电池的种类.1.3 薄膜太阳电池的好处.2 太阳电池和光伏发电的最新停顿.2.1 开发现状.2.2 太阳电池开发路途图和促成开发、引入的对策.2.3 对今后资料及技术开发的展望.3 硅系薄膜太阳电池.3.1 薄膜Si的资料个性.3.2 薄膜Si太阳电池的制造工艺.3.3 薄膜Si太阳电池的高效率化技术.3.4 今后的课题.4 CdTe太阳电池.4.1 CdTe太阳电池的特色.4.2 CdTe太阳电池的结构和制造方法.4.3 今后的展望.5 CIGS太阳电池.5.1 CIGS太阳电池的结构及专长.5.2 CIGS光排汇层的制膜法.5.3 高效率化的措施.5.4 集成型组件工程.5.5 挠性CIGS太阳电池.5.6 今后的课题.6 超高效率多串结III-V族化合物半导体太阳电池.6.1 多串结太阳电池成功高转换效率的或者性.6.2 如何成功多串结太阳电池的高效率化.6.3 多串结太阳电池高效率化的停顿历程.6.4 作为宇宙用太阳电池的适用化.6.5 以低多少钱化为指标的集光型太阳电池.6.6 多串结太阳电池的未来开展.7 无机薄膜型太阳电池.7.1 下一代太阳电池的宿愿.7.2 无机系太阳电池的特色.7.3 发电原理与元件结构.7.4 高分子无机薄膜太阳电池.7.5 小分子系无机薄膜太阳电池.7.6 无机薄膜太阳电池的未来开展.8 色素增感(染料敏化)太阳电池.8.1 何谓色素增感（染料敏化）太阳电池.8.2 电池结构及发电机制.8.3 电池制造方法.8.4 增感色素的结构.8.5 太阳电池个性.8.6 对于长久性.8.7 新的钻研开发要素.8.8 专长和或者的用途.8.9 面向适用化的课题和今后展望515习题516第17章 白光LED固体照明与薄膜技术.1 半导体固体发光器件的基础--发光环节.2 发光二极管和蓝光LED.2.1 III-V族化合物半导体LED.2.2 蓝光LED芯片的结构及制造方法.3 白光LED固体照明器件.3.1 白光LED发光的几种成功.3.2 白光LED的结构和构成要素525 17.3.3 白光LED的发光效率.4 激光二极管526习题527参考文献529作者书系532

铁电存储器新思绪-rtp退火炉在Zr基薄膜铁电性调控中的运行

铁电存储新纪元：RTP退火炉在Zr基薄膜铁电调控中的打破

科技前沿的舞台上，铁电存储畛域正沐浴着翻新的曙光。

HfO2和ZrO2基铁电薄膜的崛起，正在悄悄打破传统存储器的限度，为FeRAM、FeFET和FTJ等技术的微缩化与集成难题提供了史无前例的处置打算，成为业界注目的焦点。

铁电资料，这种神奇的晶体，以其自发极化和电场可控极化反转的个性，引领着存储技术的改造。

电偶极子的性质与资料的晶体结构密无法分，晶格类型、极化强度与宏观结构的精细调控，间接选择了铁电资料的出色性能。

钻研者们尤其关注资料的晶体取向、结晶度敌对均性，这些纤细之处对铁电存储器的效劳和稳固性有着深远影响。

河北大学张威传授的最新打破

近期，张威传授在《Nanoscale》上宣布了关键钻研成绩——“Hafnium-doped zirconia ferroelectric thin films with excellent endurance at high polarization”[3]。

这篇论文借助武汉嘉仪通科技有限公司的RTP-3S01型极速退火炉，成功了原子层堆积技术的出色运行。

这种炉子在氮气氛围中，提供超极速且稳固的退火参数，促成了O(111)正交相的少量生成，高达85%的晶相占比，使得极化强度到达了惊人的41 μC/cm2。

试验结果显示，即使在不同尺寸器件上，HZO薄膜依然展现出极高的长久性和出色的极化强度。

嘉仪通科技的出色奉献

HZO薄膜的出色性能并非偶然，而是嘉仪通科技IRAL-1200型退火炉的精心之作。

这款设施仰仗其极速升降温、高结晶度优化敌对均温度场，为高品质薄膜资料的构成提供了关键条件。

它能精准调控应力，优化结晶环境，确保分歧性，从而孕育出高性能、高稳固的器件。

嘉仪通的RTP技术，联合红外辐射加热与冷壁设计，不只极速升温降温，还保障了温度场的平均性和稳固性，对资料处置如热处置、热退火等起到了关键作用。

从1-12英寸的样品处置范围，嘉仪通极速退火炉系列在铁电资料钻研和消费中表演了无法或缺的角色，推进着技术的前沿开展。

总的来说，铁电存储器的新思绪正在RTP退火炉的助力下逐渐成功，HfZrO2薄膜的出色性能，展现了科技与工艺联合的力气，预示着一个全新的铁电存储时代行未来到。

参考文献：